Le Silicium est généralement produit dans le monde par le procédé Siemens qui consiste à décomposer sous atmosphère réductrice le trichlorosilane (HSiCl3). Une groupe de japonais Chisso (50%), Nippon Mining (30%) et Toho Titanium (20%) viennent de créer un joint venture pour industrialiser un ancien procédé industriel rénové de production de Silicium polycristallin qui repose sur la réduction du tetrachlorosilane par le Zinc en phase vapeur. Ce procédé initialement développé par DuPont avait été abandonné en raison des problèmes posés par le chlorure de Zinc, produit par la réaction. Ces problèmes seraient apparemment résolus ce qui conduirait à un procédé plus simple et moins onéreux que le précédent et produisantant un Silicium de qualité acceptable par l’industrie des cellules solaires. Une usine japonaise dont la construction sera démarrée au mois de Juillet devrait commencer à produire à l’automne 2010. Sa capacité de production initiale sera de 400 tonnes par an, puis elle sera portée à 3000 tonnes de Silicium par an.
L’innovation peut provenir de vieux procédés revus et améliorés par un travail de mise au point et de perfectionnements.
Le 1er Juin 2008.
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