SHARP vient de faire une très grosse impression à Valence, à la 23ème Conférence Européenne du Photovoltaïque, en dévoilant un nouveau procédé de production de wafers au trempé dans un bain de silicium fondu d’un substrat ad hoc qui, après solidification du Silicium, est pelé pour obtenir un wafer de Silicium de 300 microns d’épaisseur (50% de plus que le standard actuel). Il est ensuite mis aux dimensions désirées par découpe au laser. Les chutes sont recyclées dans le bain de Silicium. Sharp travaillerait sur ce nouveau procédé de production de masse depuis 10 ans et serait maintenant passé en production industrielle. Le procédé pourrait produire sur une simple ligne transfert un wafer de 156X156 mm toutes les 5 secondes environ, soit environ 1000 dm2 à l’heure. En une utilisation continue 330 jours par an ceci correspond à une production d’environ 10MW pour une simple ligne transfert et un rendement de conversion annoncé de 14,8%.
On le voit, cette industrie du photovoltaïque n’a pas fini d’innover et de surprendre.
Le 4 Septembre 2008.
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