Les rendements des dispositifs électroniques de puissance prennent une grande importance dans le domaine de la traction électrique, dans la génération de courant photovoltaïque ou éolien, dans les systèmes d’air conditionné et autres applications plus classiques utilisant des moteurs comme les ascenseurs. Ils conditionnent une part du rendement du système global. Cet impératif d’économie va pousser à la démocratisation de l’utilisation de composants de puissance à base de carbure de Silicium (SiC) en remplacement du Silicium. Citons l’exemple de Mitsubishi Electric qui vient de présenter un onduleur triphasé de 11kW composé de diodes Schottky et de Mosfets à base de SiC qui présente un volume réduit par quatre et des pertes inférieures de 70% à celles de l’équivalent en Silicium (FIG.).
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Ce nouvel ensemble condensateurs compris présente un volume d’environ un dm3 ce qui lui confère une puissance de 10W/cm3. L’objectif de Mitsubishi Electric est de réduire les pertes par rapport au Silicium de 90%. Ces nouveaux composants seront disponibles commercialement à partir de 2010.
Les propriétés remarquables du Carbure de Silicium, dont son champ de claquage 10 fois supérieur à celui du Silicium, sont connues depuis longtemps. Cette propriété fondamentale permet de concevoir des composants beaucoup plus minces et donc de réduire leur résistance. De plus en raison de sa large bande interdite (band gap) les composants peuvent travailler à plus haute température (200°C) et nécessitent moins de ventilation. Toutes ces propriétés font de cette technologie un candidat idéal pour les onduleurs des véhicules électriques ou hybrides rechargeables. La réduction de masse et l’amélioration des rendements participant à l’autonomie du véhicule.
Le 26 Février 2009.
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